ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APTM10UM01FAG
APTM10UM01FAG
APTM10UM01FAG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APTM10UM01FAG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
7286 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.APTM10UM01FAG.pdf2.APTM10UM01FAG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APTM10UM01FAG, use the request quote form to request APTM10UM01FAG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM10UM01FAG.The price and lead time for APTM10UM01FAG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM10UM01FAG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 12mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SP6
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.6 mOhm @ 275A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2500W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SP6
ชื่ออื่น:APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:60000pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2100nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 100V 860A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:860A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTM10UM01FAG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APTM10SKM05TG Microsemi MOSFET N-CH 100V 278A SP4 การสอบสวน
APTM120A80FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 การสอบสวน
APTM10SKM02G Microsemi MOSFET N-CH 100V 495A SP6 การสอบสวน
APTM10HM09FTG Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 การสอบสวน
APTM120A15FG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 การสอบสวน
APTM120A20DG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 การสอบสวน
APTM10HM09FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 การสอบสวน
APTM10TAM19FPG Image APTM10TAM19FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P การสอบสวน
APTM120DA29TG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 การสอบสวน
APTM120DA30CT1G Image APTM120DA30CT1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 การสอบสวน
APTM120A65FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 การสอบสวน
APTM10UM02FAG Microsemi MOSFET N-CH 100V 570A SP6 การสอบสวน
APTM120A20SG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 การสอบสวน
APTM10TDUM19PG Image APTM10TDUM19PG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P การสอบสวน
APTM10TAM09FPG Image APTM10TAM09FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P การสอบสวน
APTM10TDUM09PG Image APTM10TDUM09PG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P การสอบสวน
APTM120DA15G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 การสอบสวน
APTM10HM19FT3G Image APTM10HM19FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 การสอบสวน
APTM10HM05FG Image APTM10HM05FG Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 การสอบสวน
APTM120A29FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 การสอบสวน

ข่าว Latest