ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT17N80BC3G
APT17N80BC3G
APT17N80BC3G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT17N80BC3G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19716 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
APT17N80BC3G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT17N80BC3G, use the request quote form to request APT17N80BC3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT17N80BC3G.The price and lead time for APT17N80BC3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT17N80BC3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.9V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247-3
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:290 mOhm @ 11A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):208W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2250pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:90nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 800V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:17A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT17N80BC3G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT17F120J Image APT17F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 การสอบสวน
APT15GT60BRG Image APT15GT60BRG Microsemi IGBT 600V 42A 184W TO247 การสอบสวน
APT15S20KCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220 การสอบสวน
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 การสอบสวน
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK การสอบสวน
APT17F80B Image APT17F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 การสอบสวน
APT200GN60B2G Image APT200GN60B2G Microsemi IGBT 600V 283A 682W TO247 การสอบสวน
APT15S20BCTG Image APT15S20BCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 การสอบสวน
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 การสอบสวน
APT17F100B Image APT17F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247 การสอบสวน
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK การสอบสวน
APT15GT60KRG Microsemi IGBT 600V 42A 184W TO220 การสอบสวน
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 การสอบสวน
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK การสอบสวน
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 การสอบสวน
APT15S20KG Image APT15S20KG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220 การสอบสวน
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 การสอบสวน
APT17F80S Image APT17F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK การสอบสวน
APT17F100S Image APT17F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK การสอบสวน
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 การสอบสวน

ข่าว Latest