русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > R6030ENX
R6030ENX
R6030ENX
Тип продуктов:
R6030ENX
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
43967 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
R6030ENX.pdf
запрос

Введение

We can supply R6030ENX, use the request quote form to request R6030ENX pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6030ENX.The price and lead time for R6030ENX depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6030ENX.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-220FM
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 14.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):40W (Tc)
упаковка:Bulk
Упаковка /:TO-220-3 Full Pack
Другие названия:R6030ENXCT
R6030ENXCT-ND
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:17 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:2100pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:85nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для R6030ENX

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
R6031035ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 запрос
R6030ENZ1C9 Image R6030ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO247 запрос
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF запрос
R6030MNX Image R6030MNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM запрос
R6030422PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB запрос
R6030435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB запрос
R6030KNXC7 Image R6030KNXC7 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM запрос
R6030ENZC8 Image R6030ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF запрос
R6030622PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB запрос
R6030635ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB запрос
R6030822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB запрос
R6030425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB запрос
R6030KNX Image R6030KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM запрос
R6030835ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB запрос
R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 запрос
R6031025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 запрос
R6030625HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB запрос
R6030825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB запрос
R6030235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB запрос
R6030KNZ1C9 Image R6030KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 запрос

Latest Новости