русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > PMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115
Тип продуктов:
PMDT290UNE,115
производитель:
Nexperia
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
47628 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
PMDT290UNE,115.pdf
запрос

Введение

We can supply PMDT290UNE,115, use the request quote form to request PMDT290UNE,115 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMDT290UNE,115.The price and lead time for PMDT290UNE,115 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMDT290UNE,115.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Поставщик Упаковка устройства:SOT-666
Серии:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Мощность - Макс:500mW
упаковка:Cut Tape (CT)
Упаковка /:SOT-563, SOT-666
Другие названия:1727-1333-1
568-10766-1
568-10766-1-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:13 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:83pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
Тип FET:2 N-Channel (Dual)
FET Характеристика:Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Подробное описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 500mW Surface Mount SOT-666
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:800mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для PMDT290UNE,115

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
PMDPB80XP,115 Image PMDPB80XP,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 запрос
PMDPB95XNE,115 Image PMDPB95XNE,115 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 запрос
PMDT670UPE,115 Image PMDT670UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 запрос
PMDT290UNEYL Nexperia PMDT290UNE/SOT666/SOT6 запрос
PMDXB600UNEZ Image PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN запрос
PMDPB760ENX WeEn Semiconductors Co., Ltd MOSFET AXIAL запрос
PMDPB85UPE,115 Image PMDPB85UPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON запрос
PMDPB70XPE,115 Image PMDPB70XPE,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON запрос
PMDPB70EN,115 Image PMDPB70EN,115 Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN запрос
PMDXB950UPEZ Image PMDXB950UPEZ Nexperia MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN запрос
PMDXB600UNELZ Image PMDXB600UNELZ Nexperia 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF запрос
PMDXB950UPELZ Image PMDXB950UPELZ Nexperia 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF запрос
PMDPB95XNE2X Image PMDPB95XNE2X Nexperia MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON запрос
PMDPB65UP,115 Image PMDPB65UP,115 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 запрос
PMDXB600UNEZ Image PMDXB600UNEZ Nexperia MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN запрос
PMDT290UCE,115 Image PMDT290UCE,115 Nexperia MOSFET N/P-CH 20V SOT666 запрос
PMDXB550UNEZ Image PMDXB550UNEZ Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN запрос
PMDXB950UPE Image PMDXB950UPE Nexperia USA Inc. MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN запрос
PMDPB70XP,115 Image PMDPB70XP,115 Nexperia MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN запрос
PMDXB1200UPEZ Image PMDXB1200UPEZ Nexperia MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN запрос

Latest Новости