русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXTY1R4N60P TRL
IXTY1R4N60P TRL
Тип продуктов:
IXTY1R4N60P TRL
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
44956 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXTY1R4N60P TRL.pdf
запрос

Введение

We can supply IXTY1R4N60P TRL, use the request quote form to request IXTY1R4N60P TRL pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTY1R4N60P TRL.The price and lead time for IXTY1R4N60P TRL depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTY1R4N60P TRL.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5.5V @ 25µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-252, (D-Pak)
Серии:Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 Ohm @ 700mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):50W (Tc)
Упаковка /:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия:IXTY1R4N60PTRL
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:140pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:5.2nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXTY1R4N60P TRL

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXTY15P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 запрос
IXTY2R4N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK запрос
IXTY1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 запрос
IXTY1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK запрос
IXTY2N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK запрос
IXTY24N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 запрос
IXTY2N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 запрос
IXTY1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 запрос
IXTY1R4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK запрос
IXTY1R6N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK запрос
IXTY1R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 запрос
IXTY1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA запрос
IXTY2N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 запрос
IXTY2N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA запрос
IXTY1N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 запрос
IXTY1R4N120PHV IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXTY18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 запрос
IXTY1R6N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK запрос
IXTY26P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 запрос
IXTY1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 запрос

Latest Новости