русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT30F50B
APT30F50B
APT30F50B
Тип продуктов:
APT30F50B
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
21028 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
1.APT30F50B.pdf2.APT30F50B.pdf
запрос

Введение

We can supply APT30F50B, use the request quote form to request APT30F50B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT30F50B.The price and lead time for APT30F50B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT30F50B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247 [B]
Серии:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):415W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Другие названия:APT30F50BMP
APT30F50BMP-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:20 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:4525pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:115nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):500V
Подробное описание:N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT30F50B

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT30F50S Image APT30F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK запрос
APT30DS20HJ Image APT30DS20HJ Microsemi DIODE MODULE 200V SOT227 запрос
APT30F60J Image APT30F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 запрос
APT30GP60JDQ1 Image APT30GP60JDQ1 Microsemi IGBT 600V 67A 245W SOT227 запрос
APT30DQ120BCTG Image APT30DQ120BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 запрос
APT30DQ120BG Image APT30DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 запрос
APT30DQ60BCTG Image APT30DQ60BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 запрос
APT30GP60BDQ1G Image APT30GP60BDQ1G Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO247 запрос
APT30GP60B2DLG Image APT30GP60B2DLG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TMAX запрос
APT30GF60JU3 Image APT30GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 58A 192W SOT227 запрос
APT30DQ120KG Image APT30DQ120KG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220 запрос
APT30DQ60BHBG Image APT30DQ60BHBG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 запрос
APT30DQ100KG Image APT30DQ100KG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220 запрос
APT30GF60JU2 Image APT30GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 58A 192W SOT227 запрос
APT30GN60BG Image APT30GN60BG Microsemi IGBT 600V 63A 203W TO247 запрос
APT30GP60BG Image APT30GP60BG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO247 запрос
APT30GN60BDQ2G Image APT30GN60BDQ2G Microsemi IGBT 600V 63A 203W TO247 запрос
APT30DS60BG Image APT30DS60BG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 запрос
APT30DQ60BG Image APT30DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 запрос
APT30DQ60KG Image APT30DQ60KG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 30A TO220 запрос

Latest Новости