SSM6K781G,LF
Modelo do Produto:
SSM6K781G,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
29473 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SSM6K781G,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WCSPC (1.5x1.0)
Série:U-MOSVII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UFBGA, WLCSP
Outros nomes:SSM6K781G,LF(S
SSM6K781GLFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:N-Channel 12V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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