SQM200N04-1M8_GE3
Modelo do Produto:
SQM200N04-1M8_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Quantidade disponível:
31152 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SQM200N04-1M8_GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263-7
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):375W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:310nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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