NDF04N60ZH
NDF04N60ZH
Modelo do Produto:
NDF04N60ZH
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
7528 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NDF04N60ZH.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220FP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):30W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:NDF04N60ZH-ND
NDF04N60ZHOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 4.8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.8A (Tc)
Email:[email protected]

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