GA20JT12-247
- Modelo do Produto:
- GA20JT12-247
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- TRANS SJT 1.2KV 20A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 28387 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- GA20JT12-247.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247AB |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 70 mOhm @ 20A |
| Dissipação de energia (Max): | 282W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | 1242-1188 GA20JT12247 |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo FET: | - |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V |
| Descrição detalhada: | 1200V 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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