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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APTM20DAM08TG
APTM20DAM08TG
Modelo do Produto:
APTM20DAM08TG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
63855 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APTM20DAM08TG.pdf2.APTM20DAM08TG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP4
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 104A, 10V
Dissipação de energia (Max):781W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP4
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 208A (Tc) 781W (Tc) Chassis Mount SP4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:208A (Tc)
Email:[email protected]

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