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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTM100A23SCTG
APTM100A23SCTG
Modelo do Produto:
APTM100A23SCTG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
58321 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APTM100A23SCTG.pdf2.APTM100A23SCTG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP4
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:270 mOhm @ 18A, 10V
Power - Max:694W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP4
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:308nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Silicon Carbide (SiC)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:36A
Email:[email protected]

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