AON7200_102
Modelo do Produto:
AON7200_102
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15557 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
AON7200_102.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-DFN-EP (3x3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 62W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 15.8A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15.8A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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