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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2N7635-GA
2N7635-GA
2N7635-GA
Modelo do Produto:
2N7635-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
11938 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
2N7635-GA.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-257
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:415 mOhm @ 4A
Dissipação de energia (Max):47W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-257-3
Outros nomes:1242-1146
Temperatura de operação:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:324pF @ 35V
Tipo FET:-
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc) (165°C)
Email:[email protected]

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