조건 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220AB |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 3.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 120nC @ 20V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 1000V |
상세 설명: | N-Channel 1000V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220AB |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |