조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 40V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 750mV @ 6mA, 600mA |
트랜지스터 유형: | PNP - Pre-Biased |
제조업체 장치 패키지: | TO-236AB (SOT23) |
연속: | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2): | 2.2 kOhms |
저항기 -베이스 (R1): | 2.2 kOhms |
전력 - 최대: | 250mW |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들: | 1727-5714-2 568-7259-2 568-7259-2-ND 934058985215 PBRP123ET T/R PBRP123ET T/R-ND PBRP123ET,215-ND |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 180 @ 300mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 600mA |
기본 부품 번호: | PBRP123 |
Email: | [email protected] |