조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 250µA |
Vgs (최대): | +6V, -4V |
과학 기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
제조업체 장치 패키지: | Die |
연속: | eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 130 mOhm @ 500mA, 5V |
전력 소비 (최대): | - |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | Die |
다른 이름들: | 917-1078-1 |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 12 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 52pF @ 32.5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 0.45nC @ 5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 65V |
상세 설명: | N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 2.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |