조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 테스트: | 160pF @ 25V |
전압 - 파괴: | PG-SOT223-4 |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 800 mOhm @ 1.17A, 10V |
Vgs (최대): | 4.5V, 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | SIPMOS® |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 1.17A (Ta) |
편광: | TO-261-4, TO-261AA |
다른 이름들: | BSP315PH6327XTSA1TR SP001058830 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 10 Weeks |
제조업체 부품 번호: | BSP315PH6327XTSA1 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 7.8nC @ 10V |
IGBT 유형: | ±20V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2V @ 160µA |
FET 특징: | P-Channel |
확장 설명: | P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 60V |
용량 비율: | 1.8W (Ta) |
Email: | [email protected] |