조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 300mV @ 10mA, 100mA |
트랜지스터 유형: | NPN |
제조업체 장치 패키지: | NS-B1 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 300mW |
포장: | Tape & Box (TB) |
패키지 / 케이스: | NS-B1 |
다른 이름들: | 2SC3311A-R(TA) 2SC3311ARATB 2SC3311ARTA 2SC3311ARTB 2SC3311ARTB-ND |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환: | 150MHz |
상세 설명: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 210 @ 2mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 1µA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |
기본 부품 번호: | 2SC3311 |
Email: | [email protected] |