SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3
部品型番:
SIZ900DT-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
45373 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIZ900DT-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):2.4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:6-PowerPair™
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
電力 - 最大:48W, 100W
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:6-PowerPair™
他の名前:SIZ900DT-T1-GE3CT
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1830pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:45nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):24A, 28A
ベース部品番号:SIZ900
Email:[email protected]

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