状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.4V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.25 mOhm @ 10A, 10V |
電力 - 最大: | 46.2W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 Dual |
他の名前: | SIRB40DP-T1-GE3TR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 4290pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 40V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |