SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3
部品型番:
SIRB40DP-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
6105 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIRB40DP-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):2.4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.25 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大:46.2W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
他の名前:SIRB40DP-T1-GE3TR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4290pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:45nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):40A (Tc)
Email:[email protected]

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