SI7113ADN-T1-GE3
SI7113ADN-T1-GE3
部品型番:
SI7113ADN-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
47233 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SI7113ADN-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):2.6V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® 1212-8
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):132 mOhm @ 3.8A, 10V
電力消費(最大):27.8W (Tc)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:PowerPAK® 1212-8
他の名前:SI7113ADN-T1-GE3CT
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:515pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:16.5nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
詳細な説明:P-Channel 100V 10.8A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10.8A (Tc)
Email:[email protected]

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