状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-236AB (SOT23) |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 4.7 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 4.7 kOhms |
電力 - 最大: | 320mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | 1727-8166-2 934068349215 PDTD143ETR-ND |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 225MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 320mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 60 @ 50mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 500mA |
Email: | [email protected] |