状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | SC-70-3 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 4.7 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 4.7 kOhms |
電力 - 最大: | 202mW |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | SC-70, SOT-323 |
他の名前: | NSVMUN5132T1GOSCT |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 2 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 15 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | MUN51**T |
Email: | [email protected] |