状況 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1.2V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | Micro8™ |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
電力 - 最大: | 1.25W |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
他の名前: | *IRF7555TR IRF7555 IRF7555CT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1066pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 15nC @ 5V |
FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長: | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4.3A |
ベース部品番号: | IRF7555 |
Email: | [email protected] |