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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N5666S
JAN2N5666S
Modello di prodotti:
JAN2N5666S
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TRANS NPN 200V 5A TO39
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
49688 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JAN2N5666S.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):200V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 5A, 1A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-39 (TO-205AD)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/455
Potenza - Max:1.2W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Altri nomi:1086-21066
1086-21066-MIL
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 5A 1.2W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 1A, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):200nA
Corrente - collettore (Ic) (max):5A
Email:[email protected]

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