IXFN50N120SK
- Modello di prodotti:
- IXFN50N120SK
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH
- quantità disponibile:
- 7385 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IXFN50N120SK.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.8V @ 10mA |
| Vgs (Max): | +20V, -5V |
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 52 mOhm @ 40A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1895pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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