IRFM210BTF_FP001
- Modello di prodotti:
- IRFM210BTF_FP001
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 8895 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.IRFM210BTF_FP001.pdf2.IRFM210BTF_FP001.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223-4 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 390mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 225pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V 770mA (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 770mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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