FQA38N30
FQA38N30
Modello di prodotti:
FQA38N30
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
32971 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FQA38N30.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PN
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:85 mOhm @ 19.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):290W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):300V
Descrizione dettagliata:N-Channel 300V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:38.4A (Tc)
Email:[email protected]

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