FDC658P
- Modello di prodotti:
- FDC658P
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 24160 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- FDC658P.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SuperSOT™-6 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.6W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | FDC658P-ND FDC658PTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 42 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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