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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > DMG264120R
DMG264120R
Modello di prodotti:
DMG264120R
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
60398 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMG264120R.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:Mini6-G4-B
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-23-6
Altri nomi:DMG264120RCT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Numero di parte base:DMG26412
Email:[email protected]

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