Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTM10DHM09TG
APTM10DHM09TG
Modello di prodotti:
APTM10DHM09TG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
42214 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTM10DHM09TG.pdf2.APTM10DHM09TG.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply APTM10DHM09TG, use the request quote form to request APTM10DHM09TG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM10DHM09TG.The price and lead time for APTM10DHM09TG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM10DHM09TG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 69.5A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9875pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:350nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:139A
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per APTM10DHM09TG

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
APTM10HM09FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 Inchiesta
APTM10DSKM19T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 Inchiesta
APTM10DDAM09T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Inchiesta
APTM10DUM05TG Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 Inchiesta
APTM10DHM05G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 Inchiesta
APTM10DHM09T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Inchiesta
APTM10DAM02G Microsemi MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Inchiesta
APTM10HM19FT3G Image APTM10HM19FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 Inchiesta
APTM10DDAM19T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 Inchiesta
APTM10DSKM09T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Inchiesta
APTM10AM02FG Image APTM10AM02FG Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 Inchiesta
APTM10SKM02G Microsemi MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Inchiesta
APTM10HM05FG Image APTM10HM05FG Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 Inchiesta
APTM10DUM02G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 Inchiesta
APTM10DAM05TG Microsemi MOSFET N-CH 100V 278A SP4 Inchiesta
APTM10SKM05TG Microsemi MOSFET N-CH 100V 278A SP4 Inchiesta
APTM100UM65SCAVG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Inchiesta
APTM100VDA35T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 Inchiesta
APTM10AM05FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 Inchiesta
APTM10HM09FTG Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 Inchiesta

Latest Notizie