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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APTM100U13SG
APTM100U13SG
Modello di prodotti:
APTM100U13SG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 65A J3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
47439 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APTM100U13SG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:145 mOhm @ 32.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1250W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:J3 Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:31600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2000nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1000V 65A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount Module
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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