70T633S10BFG8
- Modello di prodotti:
- 70T633S10BFG8
- fabbricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descrizione:
- IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 28727 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 70T633S10BFG8.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 10ns |
| Tensione di alimentazione -: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Tecnologia: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 208-CABGA (15x15) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 208-LFBGA |
| Altri nomi: | IDT70T633S10BFG8 IDT70T633S10BFG8-ND |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 9Mb (512K x 18) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15) |
| Tempo di accesso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
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