VMO550-01F
Modèle de produit:
VMO550-01F
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
21352 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
VMO550-01F.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:6V @ 110mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:Y3-DCB
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.1 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):2200W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:Y3-DCB
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:50000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2000nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 590A (Tc) 2200W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:590A (Tc)
Numéro de pièce de base:VMO
Email:[email protected]

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