TSM80N1R2CP ROG
- Modèle de produit:
- TSM80N1R2CP ROG
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 46383 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TSM80N1R2CP ROG.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-252, (D-Pak) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 110W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | TSM80N1R2CP ROGCT TSM80N1R2CP ROGCT-ND TSM80N1R2CPROGCT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 30 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 685pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.4nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 800V |
| Description détaillée: | N-Channel 800V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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