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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STDV5804NT4G
STDV5804NT4G
STDV5804NT4G
Modèle de produit:
STDV5804NT4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
11630 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STDV5804NT4G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):71W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:STDV5804NT4G
STDV5804NT4G-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 69A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:69A (Tc)
Email:[email protected]

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