SSM6J51TUTE85LF
- Modèle de produit:
- SSM6J51TUTE85LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P-CH 12V 4A UF6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 58385 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.SSM6J51TUTE85LF.pdf2.SSM6J51TUTE85LF.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | UF6 |
| Séries: | U-MOSIV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 54 mOhm @ 2A, 2.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 500mW (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 6-SMD, Flat Leads |
| Autres noms: | SSM6J51TU(TE85LF)DKR SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND SSM6J51TUTE85LFDKR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 2.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| Description détaillée: | P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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