État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 400mV @ 250µA (Min) |
Vgs (Max): | ±8V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 8-SO |
Séries: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 25A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 1.6W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms: | SI4836DY-T1-E3-ND SI4836DY-T1-E3TR SI4836DYT1E3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 75nC @ 4.5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 12V |
Description détaillée: | N-Channel 12V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 17A (Ta) |
Email: | [email protected] |