RS1BL R3G
- Modèle de produit:
- RS1BL R3G
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 22029 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- RS1BL R3G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.3V @ 800mA |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 100V |
| Package composant fournisseur: | Sub SMA |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 150ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DO-219AB |
| Autres noms: | RS1BL R3G-ND RS1BLR3G |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 25 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 800mA |
| Capacité à Vr, F: | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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