État | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur: | VESM |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
Puissance - Max: | 150mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-723 |
Autres noms: | RN1115MFV,L3F(B RN1115MFV,L3F(T RN1115MFVL3FTR |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 250MHz |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |