RGTV00TK65DGC11
RGTV00TK65DGC11
Modèle de produit:
RGTV00TK65DGC11
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13583 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RGTV00TK65DGC11.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 50A
Condition de test:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:41ns/142ns
énergie de commutation:1.17mJ (on), 940µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-3PFM
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):102ns
Puissance - Max:94W
Package / Boîte:TO-3PFM, SC-93-3
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:104nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 45A 94W Through Hole TO-3PFM
Courant - Collecteur pulsée (Icm):200A
Courant - Collecteur (Ic) (max):45A
Email:[email protected]

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