NTD4302
NTD4302
Modèle de produit:
NTD4302
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
34204 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTD4302.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.04W (Ta), 75W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 24V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8.4A (Ta), 68A (Tc)
Email:[email protected]

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