NID9N05ACLT4G
- Modèle de produit:
- NID9N05ACLT4G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 68409 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NID9N05ACLT4G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±15V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 9A, 12V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.74W (Ta) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | NID9N05ACLT4GOSCT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 28 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 3V, 12V |
| Tension drain-source (Vdss): | 52V |
| Description détaillée: | N-Channel 52V 9A (Ta) 1.74W (Ta) Surface Mount DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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