MUN5113DW1T1G
- Modèle de produit:
- MUN5113DW1T1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 59630 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MUN5113DW1T1G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 100mA |
| Tension - Ventilation: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 50V |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | - |
| Puissance - Max: | 250mW |
| Polarisation: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms: | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 47k |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | MUN5113DW1T1G |
| Fréquence - Transition: | 80 @ 5mA, 10V |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| La description: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 500nA |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Email: | [email protected] |
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