MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
- Modèle de produit:
- MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 75466 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 1.1V |
| La technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Autres noms: | MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR-ND MT53B256M32D1NP-062WTES:CTR |
| Température de fonctionnement: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 8Gb (256M x 32) |
| Interface mémoire: | - |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz |
| Fréquence d'horloge: | 1600MHz |
| Email: | [email protected] |
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