MT3S20TU(TE85L)
- Modèle de produit:
- MT3S20TU(TE85L)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 74343 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MT3S20TU(TE85L).pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | UFM |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 900mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 3-SMD, Flat Leads |
| Autres noms: | MT3S20TU(TE85L)CT |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 1.45dB @ 20mA, 5V |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 12dB |
| Fréquence - Transition: | 7GHz |
| Description détaillée: | RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 900mW Surface Mount UFM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
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