MJE180PWD
- Modèle de produit:
- MJE180PWD
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 40V 3A
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 50963 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MJE180PWD.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.7V @ 600mA, 3A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-126 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.5W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 50MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-126 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 100mA, 1V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Numéro de pièce de base: | MJE180 |
| Email: | [email protected] |
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