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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N5582
JAN2N5582
JAN2N5582
Modèle de produit:
JAN2N5582
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 50V 0.8A TO46
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
58942 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JAN2N5582.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-46-3
Séries:Military, MIL-PRF-19500/423
Puissance - Max:500mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Autres noms:1086-2363
1086-2363-MIL
Température de fonctionnement:-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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