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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFQ60N25X3
IXFQ60N25X3
IXFQ60N25X3
Modèle de produit:
IXFQ60N25X3
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
79953 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFQ60N25X3.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):320W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3610pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):250V
Description détaillée:N-Channel 250V 60A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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